在第39屆納斯達克投資者會議的QA環節，首席工程師、技術、系統架構和客戶集團總裁Murthy Renduchintala也就公司在10nm製程的未來計畫表達了信心，Renduchintala稱公司在2014年設定的電晶體密度和性能目標仍然一樣，也就是說公司首個10nm晶片產品將達到14nm製程晶片的2.7倍密度，這優於三星和台積電的7nm工藝。
在未來7nm製程的計畫方面，Renduchintala透露公司也已經有一個不同的團隊在穩步進行，儘管落後對手，但公司有信心提供更具先進和能效的晶片。
雖然尚未透露計畫表，但他透露7nm製程將是Intel首個部署EUV光刻工藝的製程。
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