今年的智能手機除了5G，AI這兩個大熱點之外，在性能上還會再進一步，內存會升級到LPDDR5標準，閃存也會有UFS 3.0新一代標準，該規範去年初就制定完成了，此前爆料稱三星的Galaxy S10手機就會用上自家的UFS 3.0閃存。
至於其他廠商，那就要依靠東芝等NAND廠商了，日前東芝就首發了UFS 3.0閃存，容量128/256 / 512GB，使用的是自家96層堆棧的3D TLC閃存，具體性能沒公版，只說比前代讀寫提升70％，80％，但這個性能追上一些NVMe硬盤還是可以的。
去年這個時候，JEDEC組織正式發布UFS 3.0標準（JESD220D），一道被發布的還有更新後的接口標準（UFSHCI）：JESD223D，以及適用於拓展存儲卡標準的UFS卡擴展1.1（JESD220-2A。
過去UFS 2.0採用的HS-Gear2（G2）規範是單通道單向理論帶寬1.45Gbps，雙通道雙向理論帶寬就是5.8Gabps;隨後UFS 2.1採用的HS-Gear3（G3）理論帶寬翻倍達到11.6Gbps，而今天剛剛發布的UFS 3.0標准採用的帶寬規範是HS-Gear4（G4），再次實現帶寬翻倍，也就是單通道雙向11.6Gpps，因此雙通道雙向帶寬的理論最高值就是23.2Gbps，大約是2.9GB /秒。
東芝的UFS 3.0閃存採用了自家BiCS 4技術的96層堆棧3D TLC閃存，標準11.5x13mm封裝，容量128GB，256GB及512GB，不過後兩種容量暫時還沒出樣，現在只有128GB版出樣給客戶了。
性能方面，東芝沒有透露具體的指標，只說比70％，80％，找了下東芝官網，東芝此前發布的了64層堆棧的UFS 2.1閃存的讀取速度可達900MB / s，寫入為180MB / s，按照這個數據來看UFS 3.0的讀取速度約為1.5GB / s，寫入速度324MB / s，這個速度跟一些低端NVMe硬盤的性能有得一拼了，畢竟手機UFS閃存在DDR緩存方面會吃虧一些，不然寫入速度也可以更好看一些。
至於哪款手機能夠首發UFS 3.0閃存，MWC 2019展會上就能見分曉了。
沒有留言:
張貼留言