全球目前量產的最先進製程是5nm，台積電明年就要量產3nm製程，依然選擇FinFET電晶體技術，三星則選擇了GAA技術，日前三星成功流片了3nm GAA晶片，邁出了關鍵一步。
於3nm上，三星比較激進，直接選擇了下一代製程技術：GAA環繞閘極電晶體，透過使用納米材料設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge Channel FET多橋通道場效電晶體），此技術可以顯著增強電晶體效能，主要取代FinFET電晶體管。
據三星之說法，與5nm製程相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，效能提高了約30%。
三星早在2019年即公布了3nm GAA技術的PDK物理設計套件標準，此次3nm晶片流片是與Synopsys合作完成的，雙方聯合驗證了此製程的設計、生產流程，是3nm GAA技術的里程碑。但三星、Synopsys並未透露此次驗證的3nm GAA晶片詳情，官方僅說GAA架構改進了靜電特性，提高了效能、降低了功耗。
3nm GAA製程流片意味著離量產又近了一步，但最終的進度依然不好說，三星最早說於今年即能量產，後來延後至2022年，而從目前的情況來看，明年台積電3nm製程量產時，三星的3nm恐怕仍尚未準備好，依然是會晚一些。
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