2021年7月24日 星期六

重磅!三星3nm製程邁出關鍵一步!

 

全球目前量產的最先進製程是5nm,台積電明年就要量產3nm製程,依然選擇FinFET電晶體技術,三星則選擇了GAA技術,日前三星成功流片了3nm GAA晶片,邁出了關鍵一步。

於3nm上,三星比較激進,直接選擇了下一代製程技術:GAA環繞閘極電晶體,透過使用納米材料設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge Channel FET多橋通道場效電晶體),此技術可以顯著增強電晶體效能,主要取代FinFET電晶體管。

據三星之說法,與5nm製程相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,效能提高了約30%。

三星早在2019年即公布了3nm GAA技術的PDK物理設計套件標準,此次3nm晶片流片是與Synopsys合作完成的,雙方聯合驗證了此製程的設計、生產流程,是3nm GAA技術的里程碑。但三星、Synopsys並未透露此次驗證的3nm GAA晶片詳情,官方僅說GAA架構改進了靜電特性,提高了效能、降低了功耗。

3nm GAA製程流片意味著離量產又近了一步,但最終的進度依然不好說,三星最早說於今年即能量產,後來延後至2022年,而從目前的情況來看,明年台積電3nm製程量產時,三星的3nm恐怕仍尚未準備好,依然是會晚一些。

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